IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

　　若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u***的漏電流流過，基本上不消耗功率。

中頻感應(yīng)加熱設(shè)備IGBT的主要優(yōu)點(diǎn)有：

1.IGBT在正常工作時(shí)，導(dǎo)通電阻較低，增大了器件的電流容量。

2.IGBT的輸出電流和跨導(dǎo)都大于相同尺寸的功率MOSFET。

2. 較寬的低摻雜漂移區(qū)（n-區(qū)）能夠承受很高的電壓，因而可以實(shí)現(xiàn)高耐壓的器件。

3. IGBT利用柵極可以關(guān)斷很大的漏極電流。

4. 與MOSFET一樣，IGBT具有很大的輸入電阻和較小的輸入電容，則驅(qū)動(dòng)功率低，開關(guān)速度高。

5.若把IGBT的p 漏極區(qū)分割為幾個(gè)不同導(dǎo)電型號(hào)的區(qū)域（即再加進(jìn)幾個(gè)n 層），這就可以降低漏極p-n結(jié)對(duì)電子的阻擋作用，則還可進(jìn)一步減小器件的導(dǎo)通電阻。